STMicroelectronics HB Type P-Channel MOSFET, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STGSH80HB65DAG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 200 ชิ้น)*

THB199,699.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB213,678.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
200 +THB998.499THB199,699.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
152-181
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGSH80HB65DAG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HB

Package Type

ACEPACK SMIT

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

456nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Automotive-grade

Width

33.20 mm

Length

25.20mm

Height

4.05mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics device combines two IGBTs and diodes in half-bridge topology mounted on a very Compact and rugged easily surface-mounted package. The device is part of the HB series IGBTs, which is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included in every switch.

AQG 324 qualified

High-speed switching series

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance thanks to DBC substrate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง