STMicroelectronics STGAP2 N-Channel MOSFET, 4 A, 1.7 kV Enhancement, 8-Pin SO-8 STGAP2SICSNC
- RS Stock No.:
- 152-180
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGAP2SICSNC
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB663.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB710.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,995 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB132.79 | THB663.95 |
| 50 - 95 | THB126.192 | THB630.96 |
| 100 - 495 | THB116.776 | THB583.88 |
| 500 - 995 | THB107.516 | THB537.58 |
| 1000 + | THB103.596 | THB517.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-180
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGAP2SICSNC
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.7kV | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | STGAP2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1GΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV | ||
Package Type SO-8 | ||
Series STGAP2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1GΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 1.75mm | ||
Length 5mm | ||
Width 4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The STMicroelectronics single gate driver which provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low voltage control and Interface circuitry. The gate driver is characterized by 4 A capability and rail-to-rail outputs, making the device also suitable for mid and high power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications.
Separate sink and source option for easy gate driving configuration
4 A Miller CLAMP dedicated pin option
UVLO function
Gate driving voltage up to 26 V
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGAP2 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 8-Pin SO-8 STGAP2SICSNC
- STMicroelectronics SCT1000N170 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT1000N170
- Wolfspeed N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 C2M0045170D
- Infineon IMBF1 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon IMBF1 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R1K0M1XTMA1
- Littelfuse LSIC1MO170T0750 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 LSIC1MO170T0750-TU
- ROHM SCT2H12NZ N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin TO-3PFM SCT2H12NZGC11
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW120R045M1XKSA1