Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R1K0M1XTMA1
- RS Stock No.:
- 222-4849
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB316.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB338.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 828 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB158.12 | THB316.24 |
| 10 - 98 | THB154.165 | THB308.33 |
| 100 - 248 | THB150.305 | THB300.61 |
| 250 - 498 | THB146.55 | THB293.10 |
| 500 + | THB142.89 | THB285.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4849
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IMBF1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IMBF1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.
Optimized for fly-back topologies
Extremely low switching loss
12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers
Fully controllable dV/dt for EMI optimization
SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Wolfspeed Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Wolfspeed Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J
- Littelfuse LSIC1MO170T0750 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 LSIC1MO170T0750-TU
- Littelfuse LSIC1MO170T0750 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Wolfspeed Series Type N-Channel Power MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin
