STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB207.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB221.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB10.36THB207.20
200 - 480THB9.837THB196.74
500 - 980THB9.124THB182.48
1000 - 1980THB8.387THB167.74
2000 +THB8.078THB161.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STN1NK60Z
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-223

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.9nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.7mm

Width

3.7 mm

Height

1.8mm

Distrelec Product Id

304-37-475

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

SD improved capability

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง