STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 920-6591
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN1HNK60
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB51,264.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB54,852.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB12.816 | THB51,264.00 |
| 8000 - 12000 | THB12.431 | THB49,724.00 |
| 16000 + | THB12.058 | THB48,232.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 920-6591
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN1HNK60
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.8mm | |
| Width | 3.5 mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.8mm | ||
Width 3.5 mm | ||
Length 6.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1HNK60
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP125H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-92 STQ1HNK60R-AP
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 450 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223
