STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 85 A, 1000 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2NK100Z

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB225.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB241.33

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,140 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 90THB22.554THB225.54
100 - 240THB21.411THB214.11
250 - 490THB19.841THB198.41
500 - 990THB18.271THB182.71
1000 +THB17.605THB176.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-902
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD2NK100Z
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1000V

Series

SuperMESH

Package Type

TO-252

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

159°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, it is high-voltage device with Zener-protected N-channel developed using the SuperMESH technology ,an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener-protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง