Infineon IRG8P25N120KDPBF IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247AC, Through Hole
- RS Stock No.:
- 879-3397P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRG8P25N120KDPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,591.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,703.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 49 | THB159.18 |
| 50 - 99 | THB155.82 |
| 100 - 249 | THB152.46 |
| 250 + | THB149.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 879-3397P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRG8P25N120KDPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V | |
| Maximum Power Dissipation | 180 W | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 8 → 30kHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Energy Rating | 0.7mJ | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 40 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±30V | ||
Maximum Power Dissipation 180 W | ||
Package Type TO-247AC | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 8 → 30kHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Energy Rating 0.7mJ | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW40N120CS7XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3, Through Hole
- Infineon IKW40N120CH7XKSA1 40 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW40N120CS6XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247
- IXYS IXYH20N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Starpower DG40X12T2 Single IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Toshiba GT40QR21 40 A 1200 V Through Hole
- Starpower DG40T12TCFS Single IGBT 3-Pin TO-247-3L, Through Hole
- Toshiba GT40QR21(STA1D IGBT 3-Pin SC-65, Through Hole
