Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 225 A 1200 V, 7-Pin 62 mm Module, Clamp
- RS Stock No.:
- 838-6835
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,564.87
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,814.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กุมภาพันธ์ 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 2 | THB3,564.87 |
| 3 - 4 | THB3,475.73 |
| 5 + | THB3,422.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 838-6835
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 225A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 780W | |
| Package Type | 62 mm Module | |
| Mount Type | Clamp | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 61.4 mm | |
| Length | 106.4mm | |
| Height | 29mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 225A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 780W | ||
Package Type 62 mm Module | ||
Mount Type Clamp | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 61.4 mm | ||
Length 106.4mm | ||
Height 29mm | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.