Infineon FF450R12KT4HOSA1 Series IGBT Module, 580 A 1200 V, 3-Pin 62MM Module, Panel Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,741.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,073.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 04 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 2THB4,741.45
3 - 4THB4,622.92
5 +THB4,551.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
761-3751
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF450R12KT4HOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

580 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

2.4 kW

Package Type

62MM Module

Configuration

Series

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Series

Dimensions

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Modules, Infineon


The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT Discretes & Modules, Infineon


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง