Littelfuse, Type N-Channel IGBT, 20 A 365 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB29,903.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,996.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB37.379THB29,903.20
1600 - 2400THB36.258THB29,006.40
3200 +THB35.17THB28,136.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
171-0128
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NGB8207ABNT4G
ผู้ผลิต:
Littelfuse
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Littelfuse

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

365V

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

6μs

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

15 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

15.88 mm

Height

4.83mm

Length

10.29mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

Ignition IGBT

Automotive Standard

No

Energy Rating

500mJ

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง