onsemi FGAF40N60UFTU, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
- RS Stock No.:
- 759-9257
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGAF40N60UFTU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB141.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB151.42
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- เพิ่มอีก 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 637 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 30 มีนาคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB141.51 |
| 8 - 14 | THB137.98 |
| 15 + | THB135.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 759-9257
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGAF40N60UFTU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Package Type | TO-3PF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 130ns | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.3V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC, RoHS | |
| Series | UF | |
| Length | 26.5mm | |
| Width | 23 mm | |
| Height | 5.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Package Type TO-3PF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 130ns | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC, RoHS | ||
Series UF | ||
Length 26.5mm | ||
Width 23 mm | ||
Height 5.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.