onsemi FGAF40N60UFTU, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB141.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB151.42

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 638 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB141.51
8 - 14THB137.98
15 +THB135.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
759-9257
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGAF40N60UFTU
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Package Type

TO-3PF

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

130ns

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AEC, RoHS

Length

26.5mm

Height

5.45mm

Width

23 mm

Series

UF

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง