Vishay VS-GT200TS065S, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 476 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel
- RS Stock No.:
- 276-6408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065S
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 15 ชิ้น)*
THB70,474.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB75,408.105
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* |
|---|---|---|
| 15 + | THB4,698.324 | THB70,474.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 276-6408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065S
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 476A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1kW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | INT-A-PAK | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.09V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3 mm | |
| Height | 3mm | |
| Standards/Approvals | UL E78996 | |
| Length | 94.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 476A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1kW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type INT-A-PAK | ||
Configuration Half Bridge | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.09V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3 mm | ||
Height 3mm | ||
Standards/Approvals UL E78996 | ||
Length 94.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).
UL approved
Very low conduction losses
Low EMI
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay VS-GT200TS065S 476 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT100TS065N 96 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT100TS065S 247 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT150TS065S 372 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT200TS065N 193 A 650 V Panel
- Infineon FS03MR12A7MA2BHPSA1 310 A 1200 V HybridPACK Drive G2, Screw
- onsemi NXH800H120L7QDSG Type P-Channel Half Bridge IGBT Power Module 11-Pin PIM11, Through Hole
- Infineon FF2400R12IP7PBPSA1 2400 A 1200 V Module, Screw
