Vishay VS-GT200TS065N, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 193 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel
- RS Stock No.:
- 276-6407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,913.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,257.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 12 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB4,913.96 |
| 5 - 9 | THB4,682.71 |
| 10 + | THB4,451.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 276-6407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 193A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | INT-A-PAK | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 30mm | |
| Width | 35.4 mm | |
| Length | 94.4mm | |
| Standards/Approvals | UL E78996 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 193A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type INT-A-PAK | ||
Configuration Half Bridge | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 30mm | ||
Width 35.4 mm | ||
Length 94.4mm | ||
Standards/Approvals UL E78996 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).
UL approved
Very low conduction losses
Low EMI
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay VS-GT200TS065N 193 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT200TS065S 476 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT100TS065N 96 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT100TS065S 247 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT150TS065S 372 A 650 V Panel
- onsemi NXH800H120L7QDSG Type P-Channel Half Bridge IGBT Power Module 11-Pin PIM11, Through Hole
- Infineon FF2400R12IP7PBPSA1 2400 A 1200 V Module, Screw
- Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 600 A 750 V, Screw
