Vishay VS-GT200TS065N, N-Channel Half Bridge IGBT, 193 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel
- RS Stock No.:
- 276-6407P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, จัดส่งในกล่อง)*
THB23,413.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,052.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 8 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB4,682.71 |
| 10 + | THB4,451.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 276-6407P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT200TS065N
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 193A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Package Type | INT-A-PAK | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.3V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 35.4mm | |
| Standards/Approvals | UL E78996 | |
| Height | 30mm | |
| Length | 94.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 193A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Package Type INT-A-PAK | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 35.4mm | ||
Standards/Approvals UL E78996 | ||
Height 30mm | ||
Length 94.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).
UL approved
Very low conduction losses
Low EMI