Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V, 8-Pin Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7364
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB40,721.085
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,571.565
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 90 | THB2,714.739 | THB40,721.09 |
| 105 + | THB2,488.504 | THB37,327.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7364
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 650A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 150V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 335W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | UL (E83335) | |
| Width | 56.7 mm | |
| Length | 62.4mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 650A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 150V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 335W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals UL (E83335) | ||
Width 56.7 mm | ||
Length 62.4mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.
Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module Panel
- Infineon 100 A 1200 V Panel
- Infineon 75 A 1200 V Panel
