Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB24,259.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,957.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | THB1,010.81 | THB24,259.44 |
| 120 + | THB926.574 | THB22,237.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 69A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 335W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 8 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 62.8mm | |
| Standards/Approvals | IEC61140, EN61140 | |
| Width | 33.8 mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 69A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 335W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 8 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 62.8mm | ||
Standards/Approvals IEC61140, EN61140 | ||
Width 33.8 mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.
Thermal resistance
Al2O3 internal isolation
Total power dissipation 335W
15 A continuous DC forward current
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon FS50R12KT3BPSA1 75 A 1200 V Panel
- Infineon 100 A 1200 V Panel
- Infineon 75 A 1200 V Panel
