Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*

THB24,259.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,957.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
24 - 96THB1,010.81THB24,259.44
120 +THB926.574THB22,237.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7360
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DDB6U75N16W1RBOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

69A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

335W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

62.8mm

Standards/Approvals

IEC61140, EN61140

Width

33.8 mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง