Infineon BSC16DN25NS3GATMA1, Type N-Channel Single IGBT, 10.9 A, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB252,545.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB270,225.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 +THB50.509THB252,545.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-5239
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC16DN25NS3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

10.9A

Product Type

IGBT

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Number of Transistors

1

Package Type

PG-TDSON-8

Configuration

Single

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.15mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

5.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Low on resistance

Excellent gate charge

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง