Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
- RS Stock No.:
- 273-5239
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB252,545.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB270,225.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB50.509 | THB252,545.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5239
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 62.5 W | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 8 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 62.5 W | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 8 | ||
The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT Through Hole
- Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
- Infineon BSC0923NDIATMA1 Dual IGBT Through Hole
- Infineon BSC0925NDATMA1 Dual IGBT Through Hole
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7N015ATMA1
- Infineon OptiMOSTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-33 IAUCN04S7N030ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-61 IAUCN10S5L280DATMA1
