Infineon BSC018NE2LSATMA1, Type N-Channel IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB189,335.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB202,590.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 +THB37.867THB189,335.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-5233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC018NE2LSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

153A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Number of Transistors

1

Package Type

PG-TDSON-8

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.1mm

Height

1.51mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

100 percent avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง