Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 24 A 600 V PG-TO-220-3
- RS Stock No.:
- 259-1528
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP10N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,283.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,443.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 + | THB45.677 | THB2,283.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1528
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP10N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 24 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 3 | |
| Maximum Power Dissipation | 110 W | |
| Package Type | PG-TO-220-3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 24 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 3 | ||
Maximum Power Dissipation 110 W | ||
Package Type PG-TO-220-3 | ||
The Infineon trenchstop low loss duo pack and it is field stop technology with soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled HE diode. It is Hard-switching 600 V, 10 A trenchstop IGBT3 co-packed with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and field stop concept.
Highest efficiency and low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design
High device reliability
Low EMI emissions
Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design
High device reliability
Low EMI emissions
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 24 A 600 V PG-TO-220-3
- Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Transistor Module, 30 A 650 V PG-TO220-3
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3