Infineon F3L75R07W2E3B11BOMA1, Type N-Channel IGBT Module, 95 A 650 V, 27-Pin EASY2B, Clamp
- RS Stock No.:
- 168-8766
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L75R07W2E3B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 15 ชิ้น)*
THB18,555.795
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,854.705
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB1,237.053 | THB18,555.80 |
| 30 - 45 | THB1,199.942 | THB17,999.13 |
| 60 + | THB1,163.943 | THB17,459.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-8766
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L75R07W2E3B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 95A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | EASY2B | |
| Mount Type | Clamp | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 27 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 48 mm | |
| Height | 12mm | |
| Length | 56.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 95A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type EASY2B | ||
Mount Type Clamp | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 27 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 48 mm | ||
Height 12mm | ||
Length 56.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.