STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole
- RS Stock No.:
- 248-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGH30H65DFB-2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB126.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 456 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB126.63 |
| 10 - 99 | THB122.83 |
| 100 - 249 | THB117.92 |
| 250 - 499 | THB112.02 |
| 500 + | THB105.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGH30H65DFB-2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Package Type | H2PAK-2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | STGH30H65DFB | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.7mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Package Type H2PAK-2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series STGH30H65DFB | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.7mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High speed switching series
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics IGBT Through Hole
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH13N120K5-2AG
- STMicroelectronics 30 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30HP65FB 30 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STH285N10F8-2AG N channel-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2
- STMicroelectronics Schottky Diode 30 A, 2-Pin 650 V H2PAK STPSC30G065G2Y
- ROHM RGWS60TS65DGC13 IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- ROHM IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
