STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG Single IGBT, 60 A 650 V H2PAK-2
- RS Stock No.:
- 248-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGH30H65DFB-2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB126.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 460 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB126.63 |
| 10 - 99 | THB122.83 |
| 100 - 249 | THB117.92 |
| 250 - 499 | THB112.02 |
| 500 + | THB105.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGH30H65DFB-2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 260 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | H2PAK-2 | |
| Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 60 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 260 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type H2PAK-2 | ||
Configuration Single | ||
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High speed switching series
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
High speed switching series
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG Single IGBT, 60 A 650 V H2PAK-2
- ROHM RGW60TS65GC13 Single IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- ROHM RGTV60TS65GC13 Single IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- ROHM RGW60TS65DGC13 Single IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- ROHM RGTV60TS65DGC13 Single IGBT 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- Infineon IKWH60N65WR6XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole
- STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT 4-Pin TO-247
