Infineon IGBT Module 650 V, Through Hole
- RS Stock No.:
- 248-1197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF300R07W2H3B77BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB42,057.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,001.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB2,803.832 | THB42,057.48 |
| 30 - 30 | THB2,663.641 | THB39,954.62 |
| 45 + | THB2,530.479 | THB37,957.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-1197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF300R07W2H3B77BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 56.7mm | |
| Width | 42.5 mm | |
| Series | DF300R07W2H3_B77 | |
| Height | 12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 4 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 56.7mm | ||
Width 42.5 mm | ||
Series DF300R07W2H3_B77 | ||
Height 12mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device has Booster configuration and uses IGBT HighSpeed 3 technology.
Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design
Highest efficiency and power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 90 A 650 V
- Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 70 A 650 V
- Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V
- Infineon DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 IGBT Module 23-Pin, PCB Mount
- Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
