onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)
- RS Stock No.:
- 245-6975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 36 ชิ้น)*
THB300,675.456
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB321,722.748
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 36 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 36 - 36 | THB8,352.096 | THB300,675.46 |
| 72 - 72 | THB8,339.805 | THB300,232.98 |
| 108 + | THB8,327.514 | THB299,790.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 245-6975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 303 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Maximum Power Dissipation | 592 W | |
| Package Type | Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 303 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1000 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 4 | ||
Maximum Power Dissipation 592 W | ||
Package Type Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) | ||
Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Solder pins
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2 pack module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free,BFR Free and are RoHS Compliant
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free,BFR Free and are RoHS Compliant
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)
- onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)
- onsemi NXH400N100H4Q2F2SG IGBT Module PIM44
- onsemi NXH400N100H4Q2F2PG IGBT Module PIM42
- onsemi NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
- onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT Module Q0BOOST - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
- onsemi NXH100B120H3Q0SG IGBT Module, 61 A 1200 V Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free) Solder Pins
- onsemi NXH100B120H3Q0PG IGBT Module, 61 A 1200 V Case 180BF (Pb-Free and Halide-Free) Press-Fit Pins
