onsemi NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ, Surface
- RS Stock No.:
- 245-6982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,058.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,272.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB3,058.46 |
| 2 - 3 | THB3,010.50 |
| 4 - 7 | THB2,962.55 |
| 8 - 11 | THB2,914.59 |
| 12 + | THB2,866.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 245-6982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 118W | |
| Package Type | Q0PACK - Case 180AJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 55.2mm | |
| Series | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Width | 32.8mm | |
| Height | 13.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT Module | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 118W | ||
Package Type Q0PACK - Case 180AJ | ||
Mount Type Surface | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 55.2mm | ||
Series NXH40B120MNQ0SNG | ||
Width 32.8mm | ||
Height 13.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel Plated DBC
The ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.
1200 V 40 m SiC MOSFETs
Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
1200 V Bypass and Anti parallel Diodes
Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor
This Device is Pb Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ, Surface
- onsemi IGBT Module Q0BOOST - Case 180AJ, Surface
- onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT Module Q0BOOST - Case 180AJ, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BG, Surface
- onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface
- onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BG, Surface
- onsemi IGBT Module Q1BOOST, Surface
