onsemi NXH100B120H3Q0PG IGBT Module, 61 A 1200 V Case 180BF (Pb-Free and Halide-Free) Press-Fit Pins

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
245-6961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH100B120H3Q0PG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

61 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

186 W

Number of Transistors

2

Package Type

Case 180BF (Pb-Free and Halide-Free) Press-Fit Pins

The ON Semiconductor Dual Boost Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V Ultra Field Stop IGBTs
Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
1600 V Bypass and Anti parallel Diodes
Low Inductive Layout
Solderable Pins or Press Fit Pins
Thermistor options with Pre applied thermal interface Material and without pre applied TIM

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง