Infineon FS200R12PT4BOSA1 IGBT Module, 280 A 1200 V EconoPACK
- RS Stock No.:
- 244-5873
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS200R12PT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB8,548.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,146.42
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB8,548.06 |
| 2 - 2 | THB8,377.10 |
| 3 - 3 | THB8,209.56 |
| 4 - 4 | THB8,045.37 |
| 5 + | THB7,884.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5873
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS200R12PT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 280 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 1 kW | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Package Type | EconoPACK | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 280 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 1 kW | ||
Number of Transistors 6 | ||
Package Type EconoPACK | ||
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2.5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2.5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS200R12PT4BOSA1 IGBT Module, 280 A 1200 V EconoPACK
- Infineon FS200R12KT4RBOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module 35-Pin EconoPACK 3, Surface Mount
- Infineon FS200R06KE3BOSA1 IGBT Module, 200 A 600 V EconoPACK
- Infineon FS150R12KT4BOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module 35-Pin EconoPACK 3, Surface Mount
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement FF3MR12KM1HPHPSA1
- Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module
- Infineon FF450R07ME4B11BPSA1 IGBT Module Panel Mount
- Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module Panel Mount
