Infineon IKP28N65ES5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- RS Stock No.:
- 242-0980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB231.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB247.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 466 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB115.565 | THB231.13 |
| 10 - 98 | THB109.72 | THB219.44 |
| 100 - 248 | THB104.30 | THB208.60 |
| 250 - 498 | THB99.085 | THB198.17 |
| 500 + | THB94.075 | THB188.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-0980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 28A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | 5th Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 28A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Package Type TO-220 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series 5th Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
High speed smooth switching device for hard & soft switching
175°C maximum junction temperature
No need for gate clamping components
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- Infineon IKA10N65ET6XKSA2 25 A 650 V Through Hole
- Infineon 25 A 650 V Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
