Infineon AIKW50N65RF5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 228-6510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB309.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB330.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 582 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB309.27 |
| 10 - 99 | THB293.80 |
| 100 - 249 | THB279.11 |
| 250 - 499 | THB265.16 |
| 500 + | THB251.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-6510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±2 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.3 mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101/100 | |
| Length | 41.9mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Automotive Standard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±2 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.3 mm | ||
Height 5.3mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101/100 | ||
Length 41.9mm | ||
Series TrenchStop | ||
Automotive Standard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
The Infineon AIKW50N65RF5 is hybrid power discrete with SiC power technology with best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. The hybrid of 650V TRENCHSTOP 5 AUTO fast switching IGBT and CoolSiC Schottky diode to enable a cost efficient performance boost for fast switching automotive applications such as on board charger, PFC, DC-DC and DC-AC.
Trenchstop 5 fast switching IGBT
Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKY40N120CS6XKSA1 80 A 1200 V Through Hole
- Infineon AIKW75N60CTXKSA1 80 A 600 V Through Hole
- Infineon 80 A 600 V Through Hole
- Infineon 80 A 600 V Through Hole
- Infineon AIKW50N60CTXKSA1 80 A 600 V Through Hole
- Infineon 80 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 79 A 650 V Surface