Infineon IHW30N160R5XKSA1, N-Channel IGBT, 30 A 1600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (30 ชิ้น, ในหลอดขนาด 30)*

THB2,974.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,183.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB99.16THB2,974.80
60 - 90THB97.004THB2,910.12
120 +THB94.848THB2,845.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-4398
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW30N160R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1600V

Maximum Power Dissipation Pd

263W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

IHW30N160R5

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Width

16.3mm

Height

5.3mm

Length

21.5mm

Automotive Standard

No

Infineon IHW30N160R5 Series IGBT, 1600V Collector-Emitter Voltage, 30A Collector Current - IHW30N160R5XKSA1


This IGBT is a high-voltage, through‑hole transistor designed for power switching in demanding industrial environments. It operates as an N‑channel device in a TO‑247 package and is intended for applications requiring substantial current handling and elevated temperature tolerance.

Features and Benefits:


• Handles continuous collector current of 30 A for sustained loads
• Withstands collector-emitter voltage of 1600 V for high‑voltage systems
• Power dissipation rating of 263 W supports heavy switching duty
• Low collector-emitter saturation voltage of 1.85 V reduces conduction losses
• Gate-emitter voltage tolerance of ±20-25 V permits robust gate‑drive margins
• Qualified to JEDEC 47/20/22 for standardised thermal and mechanical resilience

Applications


• Suitable for industrial high‑voltage inverter stages
• Used for medium‑power traction and motor‑drive modules
• Ideal for high‑voltage DC-DC conversion circuits
• Can be used for power supplies in industrial automation
• Used with thermal‑management systems operating at elevated temperatures

What operating temperature range can it tolerate?


It functions across −40 °C to 175 °C, enabling use in wide thermal environments.

How many transistor elements are contained within the device?


The package contains a single transistor element for discrete switching.

What mounting method and package type does it use?


It is supplied for through‑hole mounting in a TO‑247 package.

Are there any approvals for mechanical and thermal testing?


It meets JEDEC 47/20/22 standards covering thermal cycling and related tests.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง