Infineon IHW30N160R5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 1600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 218-4399
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-31-963
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IHW30N160R5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IHW30N160R5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 1600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB718.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB768.325

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

2,965 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB143.612	THB718.06
10 - 10	THB140.022	THB700.11
15 +	THB137.87	THB689.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 218-4399
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-31-963
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IHW30N160R5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	30A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1600V
	Maximum Power Dissipation Pd	263W
	Number of Transistors	1
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.85V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 ±25 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	21.5mm
	Series	IHW30N160R5
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Height	5.3mm
	Width	16.3 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 30A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1600V
	Maximum Power Dissipation Pd 263W
	Number of Transistors 1
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±25 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 21.5mm
	Series IHW30N160R5
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Height 5.3mm
	Width 16.3 mm
	Automotive Standard No

Infineon IGBT, 30A Maximum Continuous Collector Current, 1600V Maximum Collector Emitter Voltage - IHW30N160R5XKSA1

This IGBT is a robust semiconductor device designed for high voltage applications, featuring a maximum collector current of 30A and operating within a temperature range of -40°C to +175°C. The TO-247 package ensures convenient installation, while its dimensions of 16.3 x 21.5 x 5.3 mm provide a compact solution for various electronic needs.

Features & Benefits

• Reverse-conducting capability for enhanced performance

• Monolithic body diode reduces forward voltage loss

• Tight parameter distribution enhances reliability

• High ruggedness improves durability in demanding conditions

• Low EMI emissions ensure minimal interference in circuits

Applications

• Used for induction cooking

• Suitable for microwave oven circuitry

• Ideal for various high voltage switching

• Compatible with specialised semiconductor power modules

What are the key thermal characteristics of this device?

The thermal resistance from junction to ambient is 40 K/W, and the junction to case thermal resistance is 0.57 K/W, ensuring efficient heat management under load conditions.

How does this IGBT module handle high voltage applications?

It boasts a collector-emitter voltage rating of up to 1600V, making it suitable for high voltage environments while maintaining safe operation across specified limits.

What implications does the maximum power dissipation have for design?

With a maximum power dissipation of 263W, it allows for efficient energy management, ensuring that the device can operate effectively without thermal overload in typical applications.