Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 215-6656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD15N60RATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB70,895.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB75,857.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB28.358 | THB70,895.00 |
| 5000 - 5000 | THB27.224 | THB68,060.00 |
| 7500 + | THB26.516 | THB66,290.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD15N60RATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 30 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IKD15N60RFATMA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD040N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD023N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3