Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- RS Stock No.:
- 215-6657
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD15N60RATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB194.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB208.125
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB38.902 | THB194.51 |
| 10 - 95 | THB37.93 | THB189.65 |
| 100 - 245 | THB36.98 | THB184.90 |
| 250 - 495 | THB36.058 | THB180.29 |
| 500 + | THB35.156 | THB175.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6657
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD15N60RATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 20kHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TrenchStop | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 20kHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TrenchStop | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 30 A 600 V Surface
- Infineon IKD15N60RFATMA1 30 A 600 V Surface
- Infineon 30 A 600 V Through Hole
- Infineon IKW30N60H3FKSA1 30 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics STGF15H60DF 30 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW30NC60WD 30 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics 30 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics 30 A 600 V Through Hole
