Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB194.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB208.125

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB38.902THB194.51
10 - 95THB37.93THB189.65
100 - 245THB36.98THB184.90
250 - 495THB36.058THB180.29
500 +THB35.156THB175.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6657
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKD15N60RATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

20kHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TrenchStop

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง