Infineon IHW40N120R5XKSA1, Type N-Channel Resonant Switching, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB366.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB392.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,102 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB183.23THB366.46
10 - 98THB178.65THB357.30
100 - 248THB174.19THB348.38
250 - 498THB169.835THB339.67
500 +THB165.585THB331.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6641
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-31-141
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW40N120R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Resonant Switching

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

394W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022

Height

5.21mm

Series

IHW40N120R5

Length

42mm

Width

16.13mm

Automotive Standard

No

Infineon IHW40N120R5 Series Resonant Switching, 1200V Collector-Emitter Voltage, 80A Continuous Collector Current - IHW40N120R5XKSA1


This resonant switching device is a high-voltage power MOSFET designed for use in demanding switching applications. It operates as an N-channel transistor in a through-hole TO-247 package and is intended for circuits requiring robust current handling and elevated temperature endurance. The component suits designers needing a discrete power transistor for resonant converters and other high-energy switching topologies.

Features and Benefits:


• 1200V blocking capability enables high-voltage system designs
• 80A continuous current supports heavy load handling
• 1.85V VCE(sat) reduces conduction losses at high currents
• ±25V gate-emitter rating allows flexible drive voltages
• 394W power dissipation permits sustained thermal loading

Applications


• Suitable for resonant AC-DC converter stages
• Ideal for high-power inverter output stages
• Used for industrial power supplies with high stress
• Can be used for soft-switching topologies in SMPS
• Suitable for laboratory power electronics test rigs

What mounting and pin configuration does it use?


The device is supplied in a TO-247 package with three pins and is intended for through-hole mounting on appropriate copper-backed substrates.

What thermal range can it withstand during operation?


It is rated to operate from -40°C up to 175°C junction temperature for wide thermal margin in harsh environments.

Which standards are referenced for material and board compatibility?


The component conforms to IEC 61249-2-21 laminate guidance and meets RoHS restrictions along with Pb-free lead-plating practices.

How does the gate-emitter limit affect drive circuitry?


The ±25V maximum gate-emitter rating sets the allowable peak gate swing and necessitates gate drivers that keep gate stress within that window.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง