Infineon, Type N-Channel Resonant Switching, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW40N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,077.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,223.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | THB69.263 | THB2,077.89 |
| 90 - 120 | THB66.479 | THB1,994.37 |
| 150 + | THB64.764 | THB1,942.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW40N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | Resonant Switching | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 394W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±25 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 42mm | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | |
| Series | IHW40N120R5 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type Resonant Switching | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 394W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±25 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Height 5.21mm | ||
Length 42mm | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | ||
Series IHW40N120R5 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference