STMicroelectronics STGWA20H65DFB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 206-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA20H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,444.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,615.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB81.491 | THB2,444.73 |
| 60 - 90 | THB79.719 | THB2,391.57 |
| 120 + | THB77.948 | THB2,338.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA20H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 147W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | Trench Gate Field Stop | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 147W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series Trench Gate Field Stop | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 40 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 40 A 650 V, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGWA40IH65DF 40 A 650 V Through Hole
- Infineon 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IHW40N65R5XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW40N65H5FKSA1 40 A 650 V Through Hole