STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 206-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA20H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,444.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,615.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB81.491 | THB2,444.73 |
| 60 - 90 | THB79.719 | THB2,391.57 |
| 120 + | THB77.948 | THB2,338.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA20H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 147 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 40 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 147 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGWA40IH65DF IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGW40H65DFB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole
- Infineon IGW40N65F5FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IHW40N65R5XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-220
