STMicroelectronics STGWA50HP65FB2, Type N-Channel IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 204-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGWA50HP65FB2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWA50HP65FB2, Type N-Channel IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB664.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB710.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 580 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB132.864	THB664.32
10 - 10	THB129.542	THB647.71
15 +	THB127.55	THB637.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGWA50HP65FB2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	86A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	272W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	5.1mm
	Length	15.9mm
	Width	21.1 mm
	Series	STG
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 86A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 272W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 5.1mm
	Length 15.9mm
	Width 21.1 mm
	Series STG
	Automotive Standard No

Datasheet - STGWA50HP65FB2

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

STMicroelectronics STGWA50HP65FB2, Type N-Channel IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง