STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB664.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB710.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 580 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB132.864THB664.32
10 - 10THB129.542THB647.71
15 +THB127.55THB637.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
204-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA50HP65FB2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

86 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

272 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C
Co-packaged protection diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive temperature coefficient

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง