Vishay SUD08P06-155L-GE3, Type P-Channel IGBT, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB651.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB696.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 480THB32.554THB651.08
500 - 980THB31.739THB634.78
1000 +THB31.251THB625.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-8117
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SUD08P06-155L-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

IGBT

Maximum Power Dissipation Pd

20.8W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type P

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.38mm

Length

6.22mm

Width

6.73 mm

Standards/Approvals

RoHS-compliant

Automotive Standard

No

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 20.8W. It can be used in load switches for portable devices. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง