Infineon, Type N-Channel IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 170-2371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP20N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB578.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB619.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 23 มีนาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB57.865 | THB578.65 |
| 20 - 20 | THB56.418 | THB564.18 |
| 30 + | THB55.549 | THB555.49 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP20N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 41A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.05V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TrenchStop | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 0.77mJ | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 41A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TrenchStop | ||
Standards/Approvals Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 0.77mJ | ||
Infineon's TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses
Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Benefits:
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
High device reliability
Target Applications:
UPS
Solar Inverters
Major Home Appliances
Welding
Air conditioning
Industrial Drives
Other hard switching applications
