MPN

Infineon IKP20N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

RS Stock No.:: 170-2258
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKP20N60TXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IKP20N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,066.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,211.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB41.329	THB2,066.45
100 - 150	THB40.089	THB2,004.45
200 +	THB38.887	THB1,944.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-2258
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKP20N60TXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	41A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	166W
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.05V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	TrenchStop
	Standards/Approvals	Pb-Free, JEDEC, RoHS
	Energy Rating	0.77mJ
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 41A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 166W
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series TrenchStop
	Standards/Approvals Pb-Free, JEDEC, RoHS
	Energy Rating 0.77mJ
	Automotive Standard No

Infineon's TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses

Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses

Low switching losses

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)

Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

High ruggedness, temperature stable behavior

Low EMI emissions

Low gate charge

Very tight parameter distribution

Benefits:

Highest efficiency – low conduction and switching losses

Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design

High device reliability

Target Applications:

Solar Inverters

Major Home Appliances

Welding

Air conditioning

Industrial Drives

Other hard switching applications

Infineon IKP20N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง