IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4-M5, Surface
- RS Stock No.:
- 168-4474
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MII100-12A3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 6 ชิ้น)*
THB19,025.172
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,356.932
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* |
|---|---|---|
| 6 - 6 | THB3,170.862 | THB19,025.17 |
| 12 - 18 | THB3,075.735 | THB18,454.41 |
| 24 + | THB2,983.462 | THB17,900.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4474
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MII100-12A3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 135A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 560W | |
| Package Type | Y4-M5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.7V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | NPT | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 30mm | |
| Length | 94mm | |
| Width | 34 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 135A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 560W | ||
Package Type Y4-M5 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.7V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series NPT | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 30mm | ||
Length 94mm | ||
Width 34 mm | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.