IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB14,503.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15,518.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB1,450.318THB14,503.18
20 - 30THB1,406.809THB14,068.09
40 +THB1,364.606THB13,646.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4582
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXGN320N60A3
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

320A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

735W

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

5kHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.3V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Series

Low-Frequency

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง