IXYS IXGN320N60A3 Single IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB14,503.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15,518.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB1,450.318THB14,503.18
20 - 30THB1,406.809THB14,068.09
40 +THB1,364.606THB13,646.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4582
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXGN320N60A3
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

320 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

735 W

Configuration

Single

Package Type

SOT-227B

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Switching Speed

5kHz

Transistor Configuration

Common Emitter

Dimensions

38.23 x 25.07 x 9.6mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง