IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface
- RS Stock No.:
- 168-4582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGN320N60A3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*
THB16,588.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,749.71
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB1,658.851 | THB16,588.51 |
| 20 - 30 | THB1,609.086 | THB16,090.86 |
| 40 + | THB1,560.815 | THB15,608.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGN320N60A3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 320A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 735W | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Switching Speed | 5kHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 25.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.6mm | |
| Length | 38.23mm | |
| Series | Low-Frequency | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 320A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 735W | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Switching Speed 5kHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 25.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.6mm | ||
Length 38.23mm | ||
Series Low-Frequency | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.