Vishay VS-GT51YF120NT, N-Channel Square IGBT Module, 64 A 2.34 V, 24-Pin ECONO2, Direct Mount
- RS Stock No.:
- 869-232
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT51YF120NT
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB6,840.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,319.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB6,840.79 |
| 5 + | THB6,703.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 869-232
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-GT51YF120NT
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 64A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.34V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Configuration | Square | |
| Package Type | ECONO2 | |
| Mount Type | Direct Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 24 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1200V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 220°C | |
| Height | 20.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 45mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 64A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.34V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Number of Transistors 4 | ||
Configuration Square | ||
Package Type ECONO2 | ||
Mount Type Direct Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 24 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1200V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 220°C | ||
Height 20.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 45mm | ||
Length 107.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay insulated gate bipolar transistor designed for efficient performance in power electronics applications, delivering reliable operation and rugged transient performance.
Features a trench gate field stop architecture for improved efficiency
Offers a low EMI profile, minimising the need for snubbing
Includes PCB solderable terminals for convenient integration
Designed with a copper baseplate to enhance thermal management
Qualified for the industrial market with UL pending certification
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay VS-GT76YF120NT 118 A 2.2 V Direct Mount
- Infineon 50 A 1200 V Clamp
- Infineon 35 A 1200 V Clamp
- Infineon FP35R12KT4B11BOSA1 35 A 1200 V Clamp
- Infineon FP50R12KT4B11BOSA1 50 A 1200 V Clamp
- Vishay VS-GT55NA120UX 68 A 1200 V Panel
- Vishay VS-GT50LA65UF 59 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT55LA120UX 68 A 1200 V Panel
