STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface

RS Stock No.:: 330-362
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: GH50H65DRB2-7AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB119.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB128.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,845 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB119.74
10 - 99	THB107.87
100 - 499	THB99.46
500 - 999	THB92.03
1000 +	THB82.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 330-362
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: GH50H65DRB2-7AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	108A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Number of Transistors	1
	Package Type	H2PAK-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.8mm
	Length	15.25mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 108A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Number of Transistors 1
	Package Type H2PAK-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.8mm
	Length 15.25mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - GH50H65DRB2-7AG

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics newest IGBT 650 HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

AEC-Q101 qualified

Maximum junction temperature TJ equal to 175 °C

High speed switching series

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Co-packed with high ruggedness rectifier diode

Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง