STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB119.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB128.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB119.74
10 - 99THB107.87
100 - 499THB99.46
500 - 999THB92.03
1000 +THB82.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
330-362
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GH50H65DRB2-7AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

108 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

385 W

Number of Transistors

1

Package Type

H2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics newest IGBT 650 HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

AEC-Q101 qualified
Maximum junction temperature TJ equal to 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Co-packed with high ruggedness rectifier diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง