Infineon 64 kB Parallel FRAM 28-Pin SOIC-28

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB215.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB230.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 538 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB215.80
5 - 9THB209.33
10 - 99THB200.96
100 - 249THB190.91
250 +THB179.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7375
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM16W08-SG
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

FRAM

Memory Size

64kB

Organisation

8k x 8 bit

Interface Type

Parallel

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

70ns

Package Type

SOIC-28

Pin Count

28

Standards/Approvals

RoHS

Maximum Operating Temperature

85°C

Number of Words

8K

Minimum Operating Temperature

-40°C

Automotive Standard

No

Minimum Supply Voltage

2.7V

Maximum Supply Voltage

5.5V

The Infineon FRAM is a 8 K x 8 non volatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery backed SRAM. Fast write timing and high write endurance make the FRAM superior to other types of memory. Its operation is similar to that of other RAM devices and therefore, it can be used as a drop in replacement for a standard SRAM in a system. Minimum read and write cycle times are equal. The FRAM memory is non volatile due to its unique ferroelectric memory process.

Low power consumption

SRAM and EEPROM compatible

High endurance 100 trillion read and write

Advanced high reliability ferroelectric process

Superior for moisture and shock with vibration

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง