Microchip, 64 kB Parallel EEPROM, 120 ns 28-Pin SOIC Parallel

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 27 ชิ้น)*

THB6,971.535

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,459.533

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 27 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
27 - 27THB258.205THB6,971.54
54 - 81THB252.525THB6,818.18
108 +THB247.103THB6,671.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
177-1465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AT28HC64BF-12SU
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Memory Size

64kB

Product Type

Parallel EEPROM

Interface Type

Parallel

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

28

Maximum Clock Frequency

5MHz

Organisation

8K x 8 bit

Minimum Supply Voltage

4.5V

Number of Bits per Word

8

Maximum Supply Voltage

5.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Height

2.8mm

Width

10.3 mm

Standards/Approvals

No

Length

17.9mm

Series

AT28HC64BF

Maximum Random Access Time

120ns

Number of Words

8192

Automotive Standard

No

Data Retention

10year

Supply Current

40mA

COO (Country of Origin):
TW
The Microchip AT28HC64BF is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

8 Kbits x 8 (64 Kbit)

5 V ±10% Supply

Parallel Interface

70ns access time Self-Timed Erase and Write Cycles

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

2 ms Maximum Option

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 100 μA (Max)

Write-Protection

Hardware Protection

Software Data Protect

More than 100,000 erase/write cycles

Data retention > 10 years

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง