Infineon 256kbit Parallel FRAM Memory 28-Pin SOIC, FM28V020-SG
- RS Stock No.:
- 125-4229
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM28V020-SG
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB467.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB499.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 284 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB467.04 |
| 7 - 13 | THB455.37 |
| 14 + | THB448.37 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-4229
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM28V020-SG
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory Size | 256kbit | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Interface Type | Parallel | |
| Data Bus Width | 8bit | |
| Maximum Random Access Time | 70ns | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 28 | |
| Dimensions | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | |
| Length | 18.11mm | |
| Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V | |
| Width | 7.62mm | |
| Height | 2.37mm | |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Number of Words | 32K | |
| Number of Bits per Word | 8bit | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory Size 256kbit | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Interface Type Parallel | ||
Data Bus Width 8bit | ||
Maximum Random Access Time 70ns | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Package Type SOIC | ||
Pin Count 28 | ||
Dimensions 18.11 x 7.62 x 2.37mm | ||
Length 18.11mm | ||
Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V | ||
Width 7.62mm | ||
Height 2.37mm | ||
Maximum Operating Temperature +85 °C | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
Minimum Operating Supply Voltage 2 V | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Number of Words 32K | ||
Number of Bits per Word 8bit | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.