Infineon 512 kB FRAM 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 188-5404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM24V05-G
ผู้ผลิต:: Infineon

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 97 ชิ้น)*

THB41,888.189

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,820.402

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

388 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
97 - 97	THB431.837	THB41,888.19
194 - 291	THB422.337	THB40,966.69
388 +	THB413.268	THB40,087.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM24V05-G
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	FRAM
	Memory Size	512kB
	Organisation	64k x 8 Bit
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	450ns
	Maximum Clock Frequency	3.4MHz
	Mount Type	Surface
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Standards/Approvals	No
	Width	3.98 mm
	Height	1.38mm
	Length	4.97mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Number of Bits per Word	8
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Minimum Supply Voltage	2V
	Maximum Supply Voltage	3.6V
	Number of Words	64K
	Automotive Standard	AEC-Q100

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type FRAM
	Memory Size 512kB
	Organisation 64k x 8 Bit
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 450ns
	Maximum Clock Frequency 3.4MHz
	Mount Type Surface
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Standards/Approvals No
	Width 3.98 mm
	Height 1.38mm
	Length 4.97mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Number of Bits per Word 8
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Minimum Supply Voltage 2V
	Maximum Supply Voltage 3.6V
	Number of Words 64K
	Automotive Standard AEC-Q100

Datasheet FM24V05-G

COO (Country of Origin):: US

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Infineon 512 kB FRAM 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

FRAM, Cypress Semiconductor

FRAM (Ferroelectric RAM)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง