Infineon 512kbit SPI FRAM Memory 8-Pin SOIC, FM25V05-G

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 97 ชิ้น)*

THB30,232.96

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB32,349.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
97 - 97THB311.68THB30,232.96
194 - 291THB304.823THB29,567.83
388 +THB298.278THB28,932.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
188-5420
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM25V05-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

512kbit

Organisation

64K x 8 bit

Interface Type

SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

18ns

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Dimensions

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Length

4.97mm

Width

3.98mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Height

1.48mm

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Bits per Word

8bit

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Words

64k

Automotive Standard

AEC-Q100

Minimum Operating Supply Voltage

2 V

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง