Infineon 512kbit Serial-I2C FRAM Memory 8-Pin SOIC, FM24V05-G

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB346.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB370.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 422 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB346.08
25 - 48THB337.44
49 +THB332.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
124-2984
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM24V05-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

512kbit

Organisation

64K x 8 bit

Interface Type

Serial-I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

450ns

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Dimensions

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Length

4.97mm

Width

3.98mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Height

1.47mm

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Bits per Word

8bit

Minimum Operating Supply Voltage

2 V

Automotive Standard

AEC-Q100

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Words

64K

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

512-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 64 K x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Fast 2-wire Serial interface (I2C)
Up to 3.4-MHz frequency
Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM
Supports legacy timings for 100 kHz and 400 kHz
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
175 μA active current at 100 kHz
90 μA (typ) standby current
5 μA (typ) sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง