Winbond SLC NAND 1 GB Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Flash Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 210 ชิ้น)*

THB24,013.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,694.13

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
210 - 210THB114.349THB24,013.29
420 - 630THB111.833THB23,484.93
840 +THB109.432THB22,980.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
188-2551
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N01HVBINF
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Product Type

Flash Memory

Memory Size

1GB

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Mount Type

Surface

Cell Type

SLC NAND

Minimum Supply Voltage

2.7V

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Length

11.1mm

Height

0.6mm

Standards/Approvals

No

Maximum Random Access Time

25μs

Number of Words

128M

Number of Bits per Word

8

Supply Current

35mA

Automotive Standard

No

Series

W29N01HV

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V),

Program/Erase: 25mA(typ.3V),

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง